R6012ANJTL

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Pièce fabricant	R6012ANJTL
Fabricant	ROHM Semiconductor
Description	MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	R6012ANJTL PDF

Disponibilité

En stock	186 487
Prix unitaire	$ 2.10980

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R6012ANJTL Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Not For New Designs
type fet:	N-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	12A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	420mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	35 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1300 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	100W (Tc)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	LPTS
paquet / caisse:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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