IPD60R600E6ATMA1

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Pièce fabricant	IPD60R600E6ATMA1
Fabricant	Rochester Electronics
Description	COOLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	IPD60R600E6ATMA1 PDF

Disponibilité

En stock	8 488
Prix unitaire	$ 0.52000

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IPD60R600E6ATMA1 Caractéristiques

Taper	Description
série:	CoolMOS™ E6
forfait:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	600 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7.3A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 200µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	20.5 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	440 pF @ 100 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	63W (Tc)
température de fonctionnement:	-
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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