QJD1210010

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Pièce fabricant	QJD1210010
Fabricant	Powerex, Inc.
Description	MOSFET 2N-CH 1200V 100A SIC
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	QJD1210010 PDF

Disponibilité

En stock	1 462 769
Prix unitaire	$ 0.00000

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QJD1210010 Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Silicon Carbide (SiC)
tension drain-source (vdss):	1200V (1.2kV)
courant - drain continu (id) @ 25°c:	100A (Tc)
rds sur (max) @ id, vgs:	25mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 10mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	500nC @ 20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	10200pF @ 800V
puissance - maximum:	1080W
température de fonctionnement:	-40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module

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