APTM100H80FT1G

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Pièce fabricant	APTM100H80FT1G
Fabricant	Microsemi
Description	MOSFET 4N-CH 1000V 11A SP1
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	APTM100H80FT1G PDF

Disponibilité

En stock	8 776 550
Prix unitaire	$ 0.00000

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APTM100H80FT1G Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	4 N-Channel (H-Bridge)
fonction fet:	Standard
tension drain-source (vdss):	1000V (1kV)
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11A
rds sur (max) @ id, vgs:	960mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	150nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	3876pF @ 25V
puissance - maximum:	208W
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SP1
paquet de dispositif de fournisseur:	SP1

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