APTC90H12T1G

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Pièce fabricant	APTC90H12T1G
Fabricant	Microsemi
Description	MOSFET 4N-CH 900V 30A SP1
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	APTC90H12T1G PDF

Disponibilité

En stock	4 388 265
Prix unitaire	$ 0.00000

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APTC90H12T1G Caractéristiques

Taper	Description
série:	CoolMOS™
forfait:	Tray
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	4 N-Channel (H-Bridge)
fonction fet:	Super Junction
tension drain-source (vdss):	900V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	30A
rds sur (max) @ id, vgs:	120mOhm @ 26A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.5V @ 3mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	270nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6800pF @ 100V
puissance - maximum:	250W
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	SP1
paquet de dispositif de fournisseur:	SP1

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