BSM25GP120B2BOSA1

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Pièce fabricant	BSM25GP120B2BOSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Description	IGBT MODULE 1200V
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - igbt - modules
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilité

En stock	4 335 105
Prix unitaire	$ 0.00000

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BSM25GP120B2BOSA1 Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tray
état de la pièce:	Last Time Buy
type d'igbt:	-
configuration:	Full Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	45 A
puissance - maximum:	230 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.55V @ 15V, 25A
courant - coupure collecteur (max):	500 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	1.5 nF @ 25 V
saisir:	Three Phase Bridge Rectifier
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module

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