BSM10GD120DN2E3224BOSA1

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Pièce fabricant	BSM10GD120DN2E3224BOSA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Description	IGBT MODULE 1200V 15A 80W
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - igbt - modules
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilité

En stock	956 930
Prix unitaire	$ 67.32500

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BSM10GD120DN2E3224BOSA1 Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tray
état de la pièce:	Last Time Buy
type d'igbt:	-
configuration:	Full Bridge
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	15 A
puissance - maximum:	80 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	3.2V @ 15V, 10A
courant - coupure collecteur (max):	400 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	530 pF @ 25 V
saisir:	Standard
thermistance ntc:	No
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module

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