GPA025A120MN-ND

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Pièce fabricant	GPA025A120MN-ND
Fabricant	SemiQ
Description	IGBT 1200V 50A 312W TO3PN
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - igbts - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	GPA025A120MN-ND PDF

Disponibilité

En stock	514 560
Prix unitaire	$ 0.00000

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GPA025A120MN-ND Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type d'igbt:	NPT and Trench
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	50 A
courant - collecteur pulsé (icm):	75 A
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.5V @ 15V, 25A
puissance - maximum:	312 W
énergie de commutation:	4.15mJ (on), 870µJ (off)
type d'entrée:	Standard
frais de porte:	350 nC
td (marche/arrêt) @ 25°c:	57ns/240ns
condition de test:	600V, 25A, 10Ohm, 15V
temps de récupération inverse (trr):	480 ns
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	TO-3
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-3PN

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