IRF5305LPBF

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Pièce fabricant	IRF5305LPBF
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Description	MOSFET P-CH 55V 31A TO262
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	IRF5305LPBF PDF

Disponibilité

En stock	4 618 580
Prix unitaire	$ 0.00000

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IRF5305LPBF Caractéristiques

Taper	Description
série:	HEXFET®
forfait:	Tube
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	P-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	55 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	31A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	60mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	63 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1200 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	3.8W (Ta), 110W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-262
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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