TC58BYG2S0HBAI6

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Pièce fabricant	TC58BYG2S0HBAI6
Fabricant	Toshiba Memory America, Inc. (Kioxia America, Inc.)
Description	IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
Catégorie	circuits intégrés
Famille	Mémoire
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	TC58BYG2S0HBAI6 PDF

Disponibilité

En stock	338
Prix unitaire	$ 4.74000

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TC58BYG2S0HBAI6 Caractéristiques

Taper	Description
série:	Benand™
forfait:	Tray
état de la pièce:	Active
type de mémoire:	Non-Volatile
formatage de la mémoire:	FLASH
La technologie:	FLASH - NAND (SLC)
taille mémoire:	4Gb (512M x 8)
interface mémoire:	Parallel
fréquence d'horloge:	-
temps de cycle d'écriture - mot, page:	25ns
temps d'accès:	25 ns
tension - alimentation:	1.7V ~ 1.95V
température de fonctionnement:	-40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	67-VFBGA
paquet de dispositif de fournisseur:	67-VFBGA (6.5x8)

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