RN2610(TE85L,F)

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Pièce fabricant	RN2610(TE85L,F)
Fabricant	Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Description	TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SM6
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - bipolaires (bjt) - réseaux, pré-polarisés
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	RN2610(TE85L,F) PDF

Disponibilité

En stock	2 945
Prix unitaire	$ 0.48000

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RN2610(TE85L,F) Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
à transistors:	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
courant - collecteur (ic) (max):	100mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):	50V
résistance - base (r1):	4.7kOhms
résistance - base émettrice (r2):	-
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	120 @ 1mA, 5V
vce saturation (max) @ ib, ic:	300mV @ 250µA, 5mA
courant - coupure collecteur (max):	100nA (ICBO)
fréquence - transition:	200MHz
puissance - maximum:	300mW
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	SC-74, SOT-457
paquet de dispositif de fournisseur:	SM6

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