TP65H300G4LSG

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Pièce fabricant	TP65H300G4LSG
Fabricant	Transphorm
Description	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	TP65H300G4LSG PDF

Disponibilité

En stock	240
Prix unitaire	$ 4.02000

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TP65H300G4LSG Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tray
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	GaNFET (Gallium Nitride)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	6.5A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	8V
rds sur (max) @ id, vgs:	312mOhm @ 5A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	2.6V @ 500µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	9.6 nC @ 8 V
vg (max):	±18V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	760 pF @ 400 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	21W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	3-PQFN (8x8)
paquet / caisse:	3-PowerDFN

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