G2R120MT33J

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Pièce fabricant	G2R120MT33J
Fabricant	GeneSiC Semiconductor
Description	SIC MOSFET N-CH TO263-7
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	G2R120MT33J PDF

Disponibilité

En stock	82
Prix unitaire	$ 95.63000

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G2R120MT33J Caractéristiques

Taper	Description
série:	G2R™
forfait:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	3300 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	35A
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	20V
rds sur (max) @ id, vgs:	156mOhm @ 20A, 20V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	145 nC @ 20 V
vg (max):	+25V, -10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	3706 pF @ 1000 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	-
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-263-7
paquet / caisse:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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