FCD600N65S3R0

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Pièce fabricant	FCD600N65S3R0
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Description	MOSFET N-CH 650V 6A DPAK
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	FCD600N65S3R0 PDF

Disponibilité

En stock	624 294
Prix unitaire	$ 0.51975

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FCD600N65S3R0 Caractéristiques

Taper	Description
série:	SuperFET® III
forfait:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	6A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	600mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4.5V @ 600µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	11 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	465 pF @ 400 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	54W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	D-PAK (TO-252)
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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