FDP8N50NZ

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Pièce fabricant	FDP8N50NZ
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Description	MOSFET N-CH 500V 8A TO220-3
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	FDP8N50NZ PDF

Disponibilité

En stock	798
Prix unitaire	$ 1.31000

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FDP8N50NZ Caractéristiques

Taper	Description
série:	UniFET™
forfait:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	8A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	850mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	5V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	18 nC @ 10 V
vg (max):	±25V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	735 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	130W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-220-3
paquet / caisse:	TO-220-3

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