IPB032N10N5ATMA1

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Pièce fabricant	IPB032N10N5ATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Description	MOSFET N-CH 100V 166A TO263-7
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	IPB032N10N5ATMA1 PDF

Disponibilité

En stock	266 688
Prix unitaire	$ 4.76000

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IPB032N10N5ATMA1 Caractéristiques

Taper	Description
série:	OptiMOS™
forfait:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	166A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	3.2mOhm @ 83A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.8V @ 125µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	95 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	6970 pF @ 50 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	187W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TO263-7
paquet / caisse:	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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