FQI13N50CTU

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Pièce fabricant	FQI13N50CTU
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Description	MOSFET N-CH 500V 13A I2PAK
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	FQI13N50CTU PDF

Disponibilité

En stock	3 508 000
Prix unitaire	$ 2.18000

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FQI13N50CTU Caractéristiques

Taper	Description
série:	QFET®
forfait:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	500 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	13A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	10V
rds sur (max) @ id, vgs:	480mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	56 nC @ 10 V
vg (max):	±30V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2055 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	195W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	I2PAK (TO-262)
paquet / caisse:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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