RQ1E100XNTR

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Pièce fabricant	RQ1E100XNTR
Fabricant	ROHM Semiconductor
Description	MOSFET N-CH 30V 10A TSMT8
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	RQ1E100XNTR PDF

Disponibilité

En stock	622 074
Prix unitaire	$ 0.41580

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RQ1E100XNTR Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	30 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10A (Ta)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	10.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	12.7 nC @ 5 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	1000 pF @ 10 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	550mW (Ta)
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TSMT8
paquet / caisse:	8-SMD, Flat Lead

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