SCT3080ALGC11

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Pièce fabricant	SCT3080ALGC11
Fabricant	ROHM Semiconductor
Description	SICFET N-CH 650V 30A TO247N
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	SCT3080ALGC11 PDF

Disponibilité

En stock	1 705
Prix unitaire	$ 10.86000

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SCT3080ALGC11 Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tube
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	SiCFET (Silicon Carbide)
tension drain-source (vdss):	650 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	30A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	18V
rds sur (max) @ id, vgs:	104mOhm @ 10A, 18V
vgs(th) (max) @ id:	5.6V @ 5mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	48 nC @ 18 V
vg (max):	+22V, -4V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	571 pF @ 500 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	134W (Tc)
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-247N
paquet / caisse:	TO-247-3

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