HUFA76609D3ST

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Pièce fabricant	HUFA76609D3ST
Fabricant	Rochester Electronics
Description	MOSFET N-CH 100V 10A TO252AA
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	HUFA76609D3ST PDF

Disponibilité

En stock	241 904
Prix unitaire	$ 0.40000

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HUFA76609D3ST Caractéristiques

Taper	Description
série:	UltraFET™
forfait:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	N-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	100 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	10A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	4.5V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	160mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	16 nC @ 10 V
vg (max):	±16V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	425 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	49W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	TO-252AA
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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