IRF40H210

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Pièce fabricant	IRF40H210
Fabricant	Rochester Electronics
Description	MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	IRF40H210 PDF

Disponibilité

En stock	7 883
Prix unitaire	$ 0.56000

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IRF40H210 Caractéristiques

Taper	Description
série:	HEXFET®, StrongIRFET™
forfait:	Bulk
état de la pièce:	Active
type fet:	N-Channel
La technologie:	MOSFET (Metal Oxide)
tension drain-source (vdss):	40 V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	100A (Tc)
tension d'entraînement (max rds activé, min rds activé):	6V, 10V
rds sur (max) @ id, vgs:	1.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	3.7V @ 150µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	152 nC @ 10 V
vg (max):	±20V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	5.406 pF @ 25 V
fonction fet:	-
puissance dissipée (max):	125W (Tc)
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet de dispositif de fournisseur:	8-PQFN (5x6)
paquet / caisse:	8-PowerVDFN

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