HS8K11TB

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Pièce fabricant	HS8K11TB
Fabricant	ROHM Semiconductor
Description	MOSFET 2N-CH 30V 7A/11A HSML
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	HS8K11TB PDF

Disponibilité

En stock	668
Prix unitaire	$ 0.67000

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HS8K11TB Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	30V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	7A, 11A
rds sur (max) @ id, vgs:	17.9mOhm @ 7A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.5V @ 1mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	11.1nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	500pF @ 15V
puissance - maximum:	2W
température de fonctionnement:	150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-UDFN Exposed Pad
paquet de dispositif de fournisseur:	HSML3030L10

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