IPG16N10S4L61AATMA1

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Pièce fabricant	IPG16N10S4L61AATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Description	MOSFET 2N-CH 100V 16A 8TDSON
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	IPG16N10S4L61AATMA1 PDF

Disponibilité

En stock	156 874
Prix unitaire	$ 0.56368

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IPG16N10S4L61AATMA1 Caractéristiques

Taper	Description
série:	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
forfait:	Tape & Reel (TR)
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	100V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	16A
rds sur (max) @ id, vgs:	61mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2.1V @ 90µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	11nC @ 10V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	845pF @ 25V
puissance - maximum:	29W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount, Wettable Flank
paquet / caisse:	8-PowerVDFN
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TDSON-8-10

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