TPD3215M

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Pièce fabricant	TPD3215M
Fabricant	Transphorm
Description	GANFET 2N-CH 600V 70A MODULE
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	TPD3215M PDF

Disponibilité

En stock	22
Prix unitaire	$ 175.13000

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TPD3215M Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Bulk
état de la pièce:	Obsolete
type fet:	2 N-Channel (Half Bridge)
fonction fet:	GaNFET (Gallium Nitride)
tension drain-source (vdss):	600V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	70A (Tc)
rds sur (max) @ id, vgs:	34mOhm @ 30A, 8V
vgs(th) (max) @ id:	-
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	28nC @ 8V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	2260pF @ 100V
puissance - maximum:	470W
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module

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