FF8MR12W2M1B11BOMA1

L'image est à titre de référence, veuillez nous contacter pour obtenir l'image réelle

Pièce fabricant	FF8MR12W2M1B11BOMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Description	MOSFET 2N-CH 1200V AG-EASY2BM-2
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	FF8MR12W2M1B11BOMA1 PDF

Disponibilité

En stock	45
Prix unitaire	$ 248.29000

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Current price of is for reference only, if you want to get best price, please submit a inquiry or direct email to our sales team [email protected]

FF8MR12W2M1B11BOMA1 Caractéristiques

Taper	Description
série:	CoolSiC™+
forfait:	Tray
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Silicon Carbide (SiC)
tension drain-source (vdss):	1200V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	150A (Tj)
rds sur (max) @ id, vgs:	7.5mOhm @ 150A, 15V (Typ)
vgs(th) (max) @ id:	5.55V @ 60mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	372nC @ 15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	11000pF @ 800V
puissance - maximum:	20mW (Tc)
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	AG-EASY2BM-2

Shopping Guide

Shipping Rate

We ship orders once a day around 5 p.m., except Sundays. Once shipped, the estimated delivery time depends on the courier company you choose, usually 5-7 working days.