BSC0910NDIATMA1

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Pièce fabricant	BSC0910NDIATMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Description	MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	BSC0910NDIATMA1 PDF

Disponibilité

En stock	4 436
Prix unitaire	$ 2.22000

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BSC0910NDIATMA1 Caractéristiques

Taper	Description
série:	OptiMOS™
forfait:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
fonction fet:	Logic Level Gate, 4.5V Drive
tension drain-source (vdss):	25V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	11A, 31A
rds sur (max) @ id, vgs:	4.6mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:	2V @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	6.6nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	4500pF @ 12V
puissance - maximum:	1W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	8-PowerTDFN
paquet de dispositif de fournisseur:	PG-TISON-8

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