FF23MR12W1M1B11BOMA1

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Pièce fabricant	FF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabricant	IR (Infineon Technologies)
Description	MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	FF23MR12W1M1B11BOMA1 PDF

Disponibilité

En stock	391 340
Prix unitaire	$ 92.76000

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FF23MR12W1M1B11BOMA1 Caractéristiques

Taper	Description
série:	CoolSiC™+
forfait:	Tray
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Silicon Carbide (SiC)
tension drain-source (vdss):	1200V (1.2kV)
courant - drain continu (id) @ 25°c:	50A
rds sur (max) @ id, vgs:	23mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (max) @ id:	5.55V @ 20mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	125nC @ 15V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	3950pF @ 800V
puissance - maximum:	20mW
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module

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