SI7900AEDN-T1-GE3

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Pièce fabricant	SI7900AEDN-T1-GE3
Fabricant	Vishay / Siliconix
Description	MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	SI7900AEDN-T1-GE3 PDF

Disponibilité

En stock	1
Prix unitaire	$ 1.23000

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SI7900AEDN-T1-GE3 Caractéristiques

Taper	Description
série:	TrenchFET®
forfait:	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual) Common Drain
fonction fet:	Logic Level Gate
tension drain-source (vdss):	20V
courant - drain continu (id) @ 25°c:	6A
rds sur (max) @ id, vgs:	26mOhm @ 8.5A, 4.5V
vgs(th) (max) @ id:	900mV @ 250µA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	16nC @ 4.5V
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	-
puissance - maximum:	1.5W
température de fonctionnement:	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	PowerPAK® 1212-8 Dual
paquet de dispositif de fournisseur:	PowerPAK® 1212-8 Dual

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