BSM080D12P2C008

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Pièce fabricant	BSM080D12P2C008
Fabricant	ROHM Semiconductor
Description	SIC POWER MODULE-1200V-80A
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - fets, mosfets - matrices
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	BSM080D12P2C008 PDF

Disponibilité

En stock	40
Prix unitaire	$ 319.84000

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BSM080D12P2C008 Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tray
état de la pièce:	Active
type fet:	2 N-Channel (Dual)
fonction fet:	Silicon Carbide (SiC)
tension drain-source (vdss):	1200V (1.2kV)
courant - drain continu (id) @ 25°c:	80A (Tc)
rds sur (max) @ id, vgs:	-
vgs(th) (max) @ id:	4V @ 13.2mA
charge de grille (qg) (max) @ vgs:	-
capacité d'entrée (ciss) (max) @ vds:	800pF @ 10V
puissance - maximum:	600W
température de fonctionnement:	175°C (TJ)
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module

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