NXH35C120L2C2S1G

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Pièce fabricant	NXH35C120L2C2S1G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Description	IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - igbt - modules
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union

Disponibilité

En stock	84 449
Prix unitaire	$ 44.22000

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NXH35C120L2C2S1G Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tube
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
configuration:	Three Phase Inverter with Brake
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	35 A
puissance - maximum:	20 mW
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.4V @ 15V, 35A
courant - coupure collecteur (max):	250 µA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	8.33 nF @ 20 V
saisir:	Three Phase Bridge Rectifier
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Through Hole
paquet / caisse:	26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
paquet de dispositif de fournisseur:	26-DIP

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