GSID100A120T2C1

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Pièce fabricant	GSID100A120T2C1
Fabricant	SemiQ
Description	IGBT MOD 1200V 200A 640W
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - igbt - modules
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	GSID100A120T2C1 PDF

Disponibilité

En stock	101 300
Prix unitaire	$ 119.77833

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GSID100A120T2C1 Caractéristiques

Taper	Description
série:	Amp+™
forfait:	Bulk
état de la pièce:	Active
type d'igbt:	-
configuration:	Three Phase Inverter
tension - claquage collecteur émetteur (max):	1200 V
courant - collecteur (ic) (max):	200 A
puissance - maximum:	640 W
vce(on) (max) @ vge, ic:	2.1V @ 15V, 100A
courant - coupure collecteur (max):	1 mA
capacité d'entrée (cies) @ vce:	13.7 nF @ 25 V
saisir:	Three Phase Bridge Rectifier
thermistance ntc:	Yes
température de fonctionnement:	-40°C ~ 150°C
Type de montage:	Chassis Mount
paquet / caisse:	Module
paquet de dispositif de fournisseur:	Module

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