NJVMJD112G

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Pièce fabricant	NJVMJD112G
Fabricant	Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Description	TRANS NPN DARL 100V 2A DPAK-4
Catégorie	produits semi-conducteurs discrets
Famille	transistors - bipolaires (bjt) - simples
Cycle de vie:	New from this manufacturer.
Livraison:	DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement	T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données	NJVMJD112G PDF

Disponibilité

En stock	46 429
Prix unitaire	$ 0.39644

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NJVMJD112G Caractéristiques

Taper	Description
série:	-
forfait:	Tube
état de la pièce:	Active
à transistors:	NPN - Darlington
courant - collecteur (ic) (max):	2 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):	100 V
vce saturation (max) @ ib, ic:	3V @ 40mA, 4A
courant - coupure collecteur (max):	20µA
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:	1000 @ 2A, 3V
puissance - maximum:	1.75 W
fréquence - transition:	25MHz
température de fonctionnement:	-65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage:	Surface Mount
paquet / caisse:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
paquet de dispositif de fournisseur:	DPAK

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