DTDG14GPT100

DTDG14GPT100

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Pièce fabricant DTDG14GPT100
Fabricant ROHM Semiconductor
Description TRANS PREBIAS NPN 2W MPT3
Catégorie produits semi-conducteurs discrets
Famille transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Cycle de vie: New from this manufacturer.
Livraison: DHL FedEx Ups TNT EMS
Paiement T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
Fiche de données DTDG14GPT100 PDF

Disponibilité

En stock 2 000
Prix ​​unitaire $ 0.54000

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DTDG14GPT100 Caractéristiques

Taper Description
série:-
forfait:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
état de la pièce:Active
à transistors:NPN - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):1 A
tension - claquage collecteur émetteur (max):60 V
résistance - base (r1):-
résistance - base émettrice (r2):10 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:300 @ 500mA, 2V
vce saturation (max) @ ib, ic:400mV @ 5mA, 500mA
courant - coupure collecteur (max):500nA (ICBO)
fréquence - transition:80 MHz
puissance - maximum:2 W
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:TO-243AA
paquet de dispositif de fournisseur:MPT3

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