NSBA114YF3T5G

NSBA114YF3T5G

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Pièce fabricant NSBA114YF3T5G
Fabricant Rochester Electronics
Description SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Catégorie produits semi-conducteurs discrets
Famille transistors - bipolaires (bjt) - simples, pré-polarisés
Cycle de vie: New from this manufacturer.
Livraison: DHL FedEx Ups TNT EMS
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Fiche de données NSBA114YF3T5G PDF

Disponibilité

En stock 456 000
Prix ​​unitaire $ 0.08000

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NSBA114YF3T5G Caractéristiques

Taper Description
série:-
forfait:Bulk
état de la pièce:Active
à transistors:PNP - Pre-Biased
courant - collecteur (ic) (max):100 mA
tension - claquage collecteur émetteur (max):50 V
résistance - base (r1):10 kOhms
résistance - base émettrice (r2):47 kOhms
gain de courant continu (hfe) (min) @ ic, vce:80 @ 5mA, 10V
vce saturation (max) @ ib, ic:250mV @ 300µA, 10mA
courant - coupure collecteur (max):500nA
fréquence - transition:-
puissance - maximum:254 mW
Type de montage:Surface Mount
paquet / caisse:SOT-1123
paquet de dispositif de fournisseur:SOT-1123

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